成果简介：本成果通过以MOCVD为生长设备，在蓝宝石衬底上通过两步生长法对InN薄膜的生长进行了研究，在此基础上生长了高In组分的GaN/InN/GaN单量子阱结构，并对相关特性进行了表征与分析。通过理论分析得到了InN材料的真正带隙，其结果与国外刊物报道的主流研究结果一致。同时我们对InN纳米结构进行了详细的研究，结果发现出现了多峰光谱结构，而这种结构在国际上的报道非常少。我们队这种光谱结构进行了详细的多手段研究，结果表明了每个峰的起源均不同。这一结果最终解决了InN高能带隙的起源指认问题。研究结果达到了国际先进水平。在前人工作的基础上提出了多通道拟合求得InGaN材料由于相分凝而存在的多吸收边的方法，其结果对于从数值上解析InGaN材料中相分凝现象具有重要的作用。推广应用范围、条件和前景：主要目的是为将来的高In组分InGaN在发光材料和太阳能电池材料中实际应用提供可行性分析，以及确认一些必要的实验参数，同时提供了理论依据。目前在世界范围内关于本项目的相关研究都主要集中在探索性的研究过程中，实验和理论结果尽管都得到了国内外有关专家的肯定和好评